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    介質(zhì)損耗的表征方法

    更新時間:2022-10-19      點擊次數(shù):3338

    介質(zhì)損耗的表征方法

    有關(guān)介質(zhì)的損耗描述方法有多種,哪一種描述方法比較方便,需根據(jù)用途而定。

    損耗角正切

    tg?

    介質(zhì)損耗大小

    損耗因子

    ?tg?

    作為絕緣材料的選擇依據(jù)

    品質(zhì)因素

    Q=1/tg?

    應用于高頻

    損耗功率

    p

    功率的計算

    等效電導率

    ?=????

    電介質(zhì)發(fā)熱

    復介電常數(shù)的復項

    ???

    研究材料的功率、發(fā)熱

    1、介質(zhì)損耗角δ

    在交變電場作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角(δ)。 簡稱介損角

    image.png

    2、介質(zhì)損耗正切值tgδ

    又稱介質(zhì)損耗因數(shù),是指介質(zhì)損耗角正切值,簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下

    image.png

    image.png

    這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講,是通過測量δ或者Φ得到介損因數(shù)。

    image.png

    損耗角正切:

    image.png

    復介電常數(shù)

    1)復介電常數(shù)的含義

    電極化的基本過程有三:

    ①原子核外電子云的畸變極化;

    ②分子中正、負離子的(相對)位移極化;

    ③分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化。

    在外界電場作用下,介質(zhì)的介電常數(shù) ε是綜合地反映這三種微觀過程的宏觀物理量;它是頻率 ω的函數(shù)ε(ω)。

    低頻極化

    只當頻率為零或頻率很低(例如1千赫)時,三種微觀過程都參與作用,這時的介電常數(shù)ε(0)對于一定的電介質(zhì)而言是個常數(shù),通稱為介電常數(shù),這也就是靜電介電常數(shù)εs或低頻介電常數(shù)。

    image.png

    中頻極化

    隨著頻率的增加,分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化逐漸落后于外場的變化,這時,介電常數(shù)取復數(shù)形式ε(ω)=ε′(ω)-jε″(ω),其中虛部ε″(ω)代表介質(zhì)損耗;它是由于電極化過程追隨不上外場的變化而引起的。

    image.png

    實部隨著·頻率的增加而顯著下降,虛部出現(xiàn)峰值。


    高頻極化

    頻率再增加,實部ε′(ω)降至新值,虛部ε″(ω)變?yōu)榱悖@表示分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化已不能響應了。

    當頻率進入到紅外區(qū),分子中正、負離子電矩的振動頻率與外場發(fā)生共振時,實部ε′(ω)先突然增加,隨即陡然下降,ε″(ω)又出現(xiàn)峰值;

    過此以后,正、負離子的位移極化亦不起作用了。 

    image.png

    2)漏導復介電常數(shù):

    image.png

    復介電常數(shù):

    image.png

    損耗角正切

    image.png

    ε’和ε"是依賴于頻率的量

    介質(zhì)的損耗由復介電常數(shù)的虛部???引起,通常電容電流由實部??引起,相當于實際測得介電常數(shù)。

    2)極化損耗的復介電常數(shù)

    image.png

    交變電場作用下的P(t)為:

    image.png

    A.極化損耗復介電常數(shù)

    image.png

    B.極化損耗復介電常數(shù)含義:

    image.png

    D.復介電常數(shù)的德拜表達式

    image.png

    其中: ?(0) -----低或靜態(tài)的相對介電常數(shù)

                 ?? ------ ???時的相對介電常數(shù)


    4、介質(zhì)損耗功率

    1)直流電壓下    PW=IU=GU2             G為介質(zhì)的電導,單位為西門子(S)。

    定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗功率p,

    image.png

    V為介質(zhì)體積,σ為純自由電荷產(chǎn)生的電導率(S/m)。

    在一定的直流電場下,介質(zhì)損耗率取決于材料的電導率

    image.png


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